特許

J-GLOBAL ID：200903040888808806

配線の形成方法

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-294026
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130850
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】Ti等窒化によりバリア層となり得る材料を直接窒化してバリア層とする配線形成方法において、窒化と同時に生じる反応(シリサイド化反応等)を制御することが可能で、しかもプロセス工程数を増加させない技術を提供する。【構成】Si基板等の半導体基板1上に、Al等の配線7と、該配線とその下地との相互作用を制御するバリア層51とを有する構造の配線を形成するに際し、バリア層51は窒化によりバリア作用を示す材料となりかつその下地と反応の可能性のあるバリア層形成材料5(Ti等)を窒化して形成するものである場合に、Ti等のシリサイド化供給源となる材料層等の導電材料層3、TiN等の反応防止(シリサイド化防止等)層4、Ti等のバリア層形成材料5を半導体基板上にこの順に形成したI後、バリア層形成用窒化処理IIを行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、配線と、該配線とその下地との相互作用を抑制するバリア層とを有する構造の配線の形成方法であって、前記バリア層は窒化によりバリア作用を示す材料となりかつその下地と反応の可能性のあるバリア層形成材料を窒化して形成するものである場合に、導電材料層、反応防止層、バリア層形成材料を半導体基板上にこの順に形成した後、バリア層形成用窒化処理を行うことを特徴とする配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/88 N