特許
J-GLOBAL ID：200903040893428213
アレイ型検出装置、およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278546
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102602
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】素子間の感度のバラツキが小さく、しかも感度や応答性が良好でリーク電流が少ないアレイ型検出装置を提供する。【解決手段】この発明の2次元アレイ型検出装置の場合、放射線感応性の半導体多結晶膜6では個別電極8の側に粒径が小さい小粒径多結晶域6bが形成され、共通電極4の側に粒径が大きい大粒径多結晶域6aが形成されている。小粒径多結晶域6bの場合、膜の表面形状が平坦であるので個別電極8の形成は容易であり、また個別電極8のサイズに比べ粒径が十分に小さいので素子間の感度のバラツキが少ない。大粒径多結晶域6aの場合、単結晶に近い膜質であるので、検出感度は良好であり、小粒径多結晶域に比べ粒界が少なくて、キャリアが速やかに移動できて応答性がよく、又バイアス電圧に対する絶縁抵抗が十分なので、リーク電流が少ない。
請求項（抜粋）：
共通電極と、検出素子アレイ配列に対応して形成された個別電極との間に、検出対象の放射線または光に感応してキャリアを生成する半導体多結晶膜が設けられている検出基板を備えたアレイ型検出装置において、前記半導体多結晶膜では個別電極の側に粒径が小さい小粒径多結晶域が形成されているとともに、小粒径多結晶域からみて共通電極の側に粒径が大きい大粒径多結晶域が形成されていることを特徴とするアレイ型検出装置。
Fターム (9件)：
5F088BA01
, 5F088BA02
, 5F088BB03
, 5F088BB07
, 5F088CB05
, 5F088CB18
, 5F088EA04
, 5F088LA03
, 5F088LA07
