特許

J-GLOBAL ID：200903040896190331

反射防止膜の条件決定方法、反射防止膜の形成方法、新規な反射防止膜を用いたレジストパターン形成方法、及び薄膜形成方法

発明者： 小川 透 ,  牛膓 哲雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-359750
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196400
出願日： 1992年12月29日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 単一波長による露光でのレジストパターン形成の際の反射防止膜の最良条件を見い出す方法、これによる反射防止膜形成方法と、新規な反射防止膜を用いたレジストパターン形成方法、これらに使用できる薄膜形成方法を提供する。【構成】 次の手段により反射防止膜の最良条件を決定し、また、反射防止膜を形成する。またこの手段により適正な反射防止膜を見い出し、レジストパターン形成に用いる。(I)任意の膜厚のフォトレジストについての反射防止膜の光学条件をパラメータとした吸収光量の等高線の作成、(II) レジスト膜厚を複数とっての(I)と同様な操作、(III)得られた各軌跡について吸収光量の共通領域を見い出して、反射防止膜の光学条件の決定、(IV) 反射防止膜条件を変えて、上記と同様の操作を行っての反射防止膜の光学条件の決定、(V)ある反射防止膜条件における反射防止膜の種類、膜厚等の最良の光学条件を見い出す。

請求項（抜粋）：

下地上に形成した反射防止膜上のフォトレジストを単一波長により露光してレジストパターンを形成する際の前記反射防止膜の条件決定方法であって、下記の手段により反射防止膜の膜厚、及び光学条件を定めることを特徴とする反射防止膜の条件決定方法。(I)任意に定めたある膜厚のフォトレジストについて、反射防止膜の光学条件をパラメータとした吸収光量の等高線を求め、(II) レジスト膜厚を複数とって、上記(I)と同様な吸収光量の等高線を求め、(III)上記(II) で得られた各等高線についてその吸収光量の共通領域を見い出して、この共通領域により現定される光学条件を当初(I)において定めた条件における反射防止膜の光学条件とし、(IV) 反射防止膜条件を変えて、上記と同様の操作を行うことにより反射防止膜の光学条件を決定し、(V)上記(IV) によりある反射防止膜条件における反射防止膜の最良の光学条件を見い出す。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 521