特許

J-GLOBAL ID：200903040901499249

化学増幅レジスト及びこれを用いるレジストパターンの形成方法

発明者： 矢野 映 ,  渡部 慶二 ,  並木 崇久 ,  五十嵐 美和 ,  倉光 庸子 ,  野崎 耕司
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-047429
公開番号（公開出願番号）：特開平7-261392
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】高解像性のネガ型レジストを形成する化学増幅レジストに関し、ネガ型として使用してもパターン精度を高めること。【構成】基材樹脂の側鎖に酸によって切断される疎水性の原子団を有する化学増幅レジスト基材樹脂と、光酸発生剤、架橋剤および溶剤を含む。

請求項（抜粋）：

基材樹脂の側鎖に酸によって切断される疎水性の原子団を有する化学増幅レジスト基材樹脂と、光酸発生剤、架橋剤および溶剤を含むことを特徴とする化学増幅レジスト。

IPC (4件)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027