特許
J-GLOBAL ID：200903040908086900
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265828
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109702
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】半導体基板上のパッシベーション膜のドライエッチングを安定かつクリーンな状態で行うこと。【構成】半導体基板1上に形成されたパッシベーション膜2を、レジストパターン3をマスクとして、フロロカーボン系ガスに少量の酸素を添加した混合ガスを用いてドライエッチングを行い、引き続いてこの半導体基板1を、同一装置内で酸素プラズマにて処理を行う。【効果】パッシベーション膜のドライエッチングで発生し、半導体基板上やエッチングチャンバ内に付着するカーボン系のデポを酸素プラズマにより除去することで、パーティクルの発生を抑えることができ、安定かつクリーンな状態でドライエッチングを行うことができる。また、上記酸素プラズマ処理の処理時間を延ばすことで、フォトレジストの除去を同時に行うことができるめ、工期短縮にもつながる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたパッシベーション膜をドライエッチング法によりパターニングする半導体装置の製造方法において、フロロカーボン系ガスに少量の酸素を添加した混合ガスを用いてドライエッチングする第1の工程と、この工程に引き続き、酸素プラズマにさらす第2の工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/027
, H01L 21/302
