特許
J-GLOBAL ID：200903040913342450
固体撮像素子、固体撮像装置、および固体撮像素子の駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山田 正紀
, 小杉 佳男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-249270
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087963
出願日： 2002年08月28日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】MOS型の固体撮像素子に関し、受光面全面について光照射による電荷の蓄積開始を同時に行なうとともに蓄積終了についても受光面全面について同時に行ない、さらに、電荷の蓄積と信号の読出しとを同時に行なう。【解決手段】光の照射を受けて電荷を発生する電荷発生領域13を有する、所定の基板上に形成された受光部100と、電荷蓄積領域で発生した電荷の転送を受けて該電荷を蓄積するホールポケット24を有し、蓄積した電荷量に応じた信号を生成する検出部200と、電荷発生領域13とホールポケット24との間に電位障壁を除去自在に形成することにより、電荷発生領域で発生した電荷のホールポケットへの転送を制御する転送制御手段と、電荷蓄積領域に蓄積した電荷の排出経路上に電位障壁を除去自在に形成することにより、電荷蓄積領域に蓄積した電荷の排出を制御する第1の排出制御手段とを備えた。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
光の照射を受けて電荷を発生する電荷発生領域を有する、所定の基板上に形成された受光部と、
前記電荷発生領域で発生した電荷の転送を受けて該電荷を蓄積する電荷蓄積領域を有し、蓄積した電荷量に応じた信号を生成する検出部と、
前記電荷発生領域と前記電荷蓄積領域との間に電位障壁を除去自在に形成することにより、該電荷発生領域で発生した電荷の該電荷蓄積領域への転送を制御する転送制御手段と、
前記電荷蓄積領域に蓄積した電荷の排出経路上に電位障壁を除去自在に形成することにより、該電荷蓄積領域に蓄積した電荷の排出を制御する第1の排出制御手段とを備えたことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA14
, 4M118FA33
, 4M118GA10
, 5C024CX41
, 5C024CX54
, 5C024GY31
, 5C024GZ02
