特許
J-GLOBAL ID：200903040916720545
高周波電力増幅回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081600
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335836
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【課題】 高周波電力増幅回路装置の回路要素の立体的配置を可能とし、装置を小型化し、コストを低減する。【解決手段】 複数のセラミック基板13a〜13cを積層して、積層体13を形成し、最上の第1セラミック基板13aの上にFET等を有する半導体チップ1と、高周波整合回路8とを搭載する。第2セラミック基板13bの上つまり中間層にグランド層16を形成し、上下の各層に配置される回路要素との間の電気信号の干渉を防止する。第3セラミック基板13cの上面の上にバイアス回路7を、下面上にグランド電極15をそれぞれ形成する。さらに、各基板13a〜13cの側面上と最下の第3セラミック基板13cの下面上とに亘ってリードレス電極14を形成する。窒化アルミニウム基板の高い熱伝導率と適度な誘電率と立体的構造とを利用して、装置全体を小型化し、コストを低減する。
請求項（抜粋）：
高周波信号を増幅するための第1の能動素子と複数の受動素子とを含む複数の回路要素を備えた高周波電力増幅回路装置であって、熱伝導率が高い誘電材料からなる複数の基板を積層して構成され、上記複数の基板のうち最上の基板の上面上の領域である最上層と、各基板間の領域である少なくとも1つの中間層と、上記複数の基板のうち最下の基板の下面上の領域である最下層と、上記各基板の側面上の領域である側方層とに上記回路要素が分散して配置可能に構成された積層体と、上記最上の基板の上面上に搭載され、上記第1の能動素子を有する第1の半導体チップとを備え、上記第1の能動素子以外の回路要素は、上記積層体の各層に分散して配置されていることを特徴とする高周波電力増幅回路装置。
IPC (4件)：
H03F 3/60
, H01L 23/04
, H01L 23/12 301
, H01P 5/08
H03F 3/60
, H01L 23/04 F
, H01L 23/12 301 J
, H01P 5/08 M
