特許

J-GLOBAL ID：200903040916868763

レジストを塗布してなる金属又は半導体基板およびその製造方法

発明者： ライナー・シェンク ,  ミヒャエル・アブラハム ,  ボルフガング・エルフェルト
出願人/特許権者： イーエムエム・インステイトゥート・フュア・ミクロテヒニーク・ゲーエムベーハー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-256183
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267892
出願日： 1993年10月13日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は深X線リソグラフィによりミクロ機械的構造のための型を製造するのに用いられるレジストを塗布してなる金属または半導体基板およびその製造方法を提供する。【構成】レジストを塗布する前に、基板表面に自己組織化機能および2つの末端官能基を有する線状有機化合物の溶液を塗布する。これにより単分子層を得る。この単分子層は基板とレジストの双方に結合する接着層として作用する。

請求項（抜粋）：

深X線リソグラフィによりミクロ機械的構造のための型を製造するのに用いられるレジストを塗布してなる金属または半導体基板であって、該基板表面に特異的に結合する基と、該レジストに共有結合する基の末端官能基を有する2官能性線状自己組織化有機分子からなる単分子接着層を該基板とレジストとの間に配したことを特徴とする基板。

IPC (3件)：

H01L 21/30 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/312