特許

J-GLOBAL ID：200903040920879877

レーザアニール方法及び装置

発明者： 三木 晋 ,  石井 伸也
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (4件)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-222407
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063924
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】高分子材料で形成した基板上のアモルファスシリコン薄膜を良好にアニーリングしてポリシリコン化するレーザアニール方法を提供する。【解決手段】波長が1064nmで、且つパルス幅が10nm未満のパルスレーザ光を固体レーザ発振装置1から出射し、このパルスレーザ光を波長変換部2で波長が532又は352nmのレーザ光に変換した後、このパルスレーザ光をプラスチックの基板7上に形成したアモルファスシリコン薄膜6に照射して、このアモルファスシリコン薄膜6のアニーリングを行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

固体レーザ発振手段を用いて波長が350nm〜550nmのレーザ光を形成し、このレーザ光を高分子材料の基板上に形成したアモルファスシリコン薄膜に照射して、このアモルファスシリコン薄膜のアニーリングを行うことを特徴とするレーザアニール方法。

IPC (3件)：

H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01S3/00

FI (4件)：

H01L21/268 J ,  H01L21/268 F ,  H01L21/20 ,  H01S3/00 A

Fターム (22件)：

5F052AA02 ,  5F052BA11 ,  5F052BA18 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB04 ,  5F052CA07 ,  5F052CA09 ,  5F052DA02 ,  5F052FA00 ,  5F072AA06 ,  5F072AB02 ,  5F072KK12 ,  5F072KK15 ,  5F072KK30 ,  5F072MM07 ,  5F072MM09 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR03 ,  5F072RR05 ,  5F072SS06 ,  5F072YY08