特許
J-GLOBAL ID：200903040923034673
処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-120737
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310083
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 被処理体の帯電を除去して、被処理体への微細塵埃の付着防止、放電による素子の破壊等を防止し、製品歩留りの向上を図る。【構成】 未処理及び処理済みの半導体ウエハWを搬入・搬出手段13にて搬送する搬入・搬出機構10と、搬送手段22によって半導体ウエハWを適宜処理機構21a〜21fに搬送する処理機構ユニット20とを具備する処理装置に、半導体ウエハWにイオンを照射するイオン照射手段40と、イオンの極性の選択及びイオン照射量を調整するコントローラ50とを設ける。これにより、イオン照射手段40に生成されたイオンを半導体ウエハWに照射して半導体ウエハWに帯電された静電気を除去することができる。
請求項（抜粋）：
未処理及び処理済みの被処理体を搬入・搬出手段にて搬送する搬入・搬出機構と、搬送手段によって被処理体を適宜処理部に搬送して処理する処理機構ユニットとを具備する処理装置において、上記被処理体にイオンを照射するイオン照射手段と、イオンの極性の選択及びイオン照射量を調整する制御部とを具備することを特徴とする処理装置。
IPC (2件)：
H01J 37/317
, H01L 21/265
