半導体単結晶引上げ装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-194076
出願日： 1992年01月22日
公開日（公表日）： 1993年08月03日
要約：

【要約】【目的】熱しゃへい体を備えたCZ法による引上装置において、熱しゃへい体昇降による装置内への外気侵入等の影響を防ぐ。【構成】熱しゃへい体を昇降する連結棒を、チャンバに非接触に貫通させ、さらに連結棒周囲を気密性のベローズで囲い、このベローズ端をさらにチャンバーに対して気密に固定する。

請求項（抜粋）：

原料融液を充填したるつぼ上方に熱しゃへい体を設けて単結晶の引上げを行なうチョクラルスキー法による単結晶引上げ装置において、引上げ装置外に設けた駆動機構より、引上げ装置上部のチャンバ壁に穿設した貫通孔を通じて引上げ装置内の前記熱しゃへい体に連結し、これを昇降する連結部を複数、前記貫通孔側面と非接触に設けると共に、前記貫通孔周囲のチャンバ外壁に一端が、また他端が連結部上端に固定され、連結部の昇降に追従して伸縮するベローズを、連結部周囲に気密に設けたことを特徴とする単結晶引上げ装置。

IPC (3件)：

C30B 15/00 , C30B 15/14 , H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-283693
特開昭63-303888
特開平4-331791

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