半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-131838
公開番号（公開出願番号）：特開平5-303882
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】低消費電力化した半導体記憶装置を得る。【構成】入力データ端子1から入力される複数ビットのデータの“1”の数を、データ“1”検出回路2で数える。その数が設定値以上であった場合、入力データ正転/反転セレクタ4は入力データを反転してメモリ5に書き込む。メモリ5からデータを読み出す場合、出力データ正転/反転セレクタ7は入力データと正転/反転の論理を一致させてデータを出力する。そのデータをデータ出力端子8に出力する。【効果】メモリに“1”を書き込む数を設定値以下にすることができるので、データを読み出すときの消費電力が小さくなる。

請求項（抜粋）：

複数ビットのデータを同時に読み書きする半導体記憶装置において、複数ビットのデータを記憶するメモリと、上記メモリへの複数ビットの入力データ中の“1”の数を数える“1”検出回路と、該“1”検出回路による“1”の検出数が設定値以上か否かに応じて入力データを正転あるいは反転する入力データ用セレクタと、上記入力データ用セレクタが入力データを正転あるいは反転するのに合わせて上記メモリからの出力データを正転あるいは反転する出力データ用セレクタとを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

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