半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-288767
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134973
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】浮遊ゲート電極から外部へ電荷がリークするのを阻止する半導体装置の構造とその製造方法を提供する。【解決手段】浮遊ゲート電極4の上面および両側壁面に、下層から上層へ向かって、第1のシリコン窒化膜5、第1のシリコン酸化膜6、第2のシリコン窒化膜7および第2のシリコン酸化膜8からなるキャパシタ絶縁膜9を備える。この構成によれば、浮遊ゲート電極4に蓄積された情報としての電荷は、その端部近傍Aから外部へリークすることがなく、電荷保持特性に優れた半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、絶縁膜を介在させて形成された、両側壁面を有する第1の導電性膜を備え、前記第1の導電性膜の上面および前記両側壁面上に窒化膜を含む多層膜を形成することにより、前記第1の導電性膜中に蓄積された電荷が外部へリークするのを阻止する、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

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