特許
J-GLOBAL ID：200903040932097793

半導体装置

発明者：
山地 徳一

山地 徳一 について

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阿部 真一

阿部 真一 について

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金子 勝弘

金子 勝弘 について

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上野 由里子

上野 由里子 について

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棚橋 成夫

棚橋 成夫 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019022
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224293
出願日： 2002年01月28日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】 光電子集積回路素子間を接続する高密度配置された隣接する光導波路間のクロストークを低減した半導体装置を提供する。【解決手段】 支持基板1上に、電子集積回路素子9ならびに複数個の受光素子5および発光素子4が同一基板上に設けられた光電子集積回路素子2が複数個配置されるとともに、光電子集積回路素子9間で受光素子5と発光素子4とを接続する複数本の光導波路6が形成されて成り、隣接するこれら光導波路6における光の伝搬方向が逆方向とされている半導体装置である。また、隣接する光導波路6に接続された受光素子5および発光素子4は、交互に位置をずらせて配置するとよく、さらにそれぞれ複数個が一体的にアレイ状に形成されているとよい。隣接する光導波路6間のクロストークを低減でき、低コストおよび損失のより小さな半導体装置を提供することができる。
請求項（抜粋）：
支持基板上に、電子集積回路素子ならびに複数個の受光素子および発光素子が同一基板上に設けられた光電子集積回路素子が複数個配置されるとともに、前記光電子集積回路素子間で前記受光素子と前記発光素子とを接続する複数本の光導波路が形成されて成り、隣接するこれら光導波路における光の伝搬方向が逆方向とされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 31/12 ,  G02B 6/122 ,  H01L 27/15
FI (3件)：
H01L 31/12 B ,  H01L 27/15 H ,  G02B 6/12 B
Fターム (13件)：
2H047KA03 ,  2H047MA07 ,  2H047RA08 ,  2H047TA05 ,  2H047TA11 ,  2H047TA47 ,  5F089AA06 ,  5F089AB08 ,  5F089AB09 ,  5F089AC07 ,  5F089AC10 ,  5F089AC16 ,  5F089CA21
引用特許：
審査官引用 (7件)
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