特許

J-GLOBAL ID：200903040932255844

半導体チップの接合方法

発明者： 本田 美智晴
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-174580
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022337
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】半導体チップをプリント基板に強固に金属接合させるに好適な金バンプへの低融点金属の転写方法と、これをプリント回路基板に接合する方法。【解決手段】半導体シリコンチップに金バンプを形成し、低融点金属特にインジウムや鉛-インジウム箔の上に金バンプを加圧加熱することにより、半溶融状態にした低融点金属を金バンプの先端部に転写した後、プリント基板のパッドと加熱接合して金属接合層を形成する。

請求項（抜粋）：

プリント基板のパッド上に表面実装はんだ付けする半導体チップにおいて、上記半導体チップに形成した金バンプの先端を低融点金属箔上に加圧加熱し、上記金バンプ先端部に半溶融状態の低融点金属を転写した後、上記プリント基板の上記パッド上に形成した固形状はんだとの間で溶融接合することにより、上記金バンプとはんだとの接続層を形成することを特徴とする半導体チップの接合方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 603 A ,  H01L 21/92 604 F