特許
J-GLOBAL ID：200903040932994841
高周波半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-170198
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351926
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】シリコンバイポーラトランジスタの高周波化にはエミッタ領域を薄くすることが重要であり、ポリシリコン層に不純物を導入して、熱拡散により薄いエミッタ領域を形成していた。しかしポリシリコン中の熱拡散の速度が速いため、装置が安定する前に拡散が終了してしまい、電気的特性のばらつきや歩留まりの低下などの問題がある。【解決手段】本発明はポリシリコンを2層に分けて、間に酸化層を設けることにより、不純物の熱拡散時間をコントロールするもので、酸化層によって熱拡散時間が遅くできる。従って、装置を安定した状態で動作させることができるので、電気的特性が均一な半導体装置を提供できる。また酸化層の厚みにより拡散時間をコントロールできるので、生産性の向上にも寄与できる。
請求項（抜粋）：
ベース領域に形成したエミッタ領域と、該エミッタ領域上に形成した第1のポリシリコン層と、該第1のポリシリコン層上に形成した酸化層と、該酸化層上に形成した第2のポリシリコン層と、該第2のポリシリコン層上に形成した金属電極とを具備することを特徴とする高周波半導体装置。
IPC (2件)：
Fターム (19件)：
5F003AP00
, 5F003BA13
, 5F003BA97
, 5F003BB06
, 5F003BB07
, 5F003BB08
, 5F003BC08
, 5F003BE00
, 5F003BE02
, 5F003BE07
, 5F003BE08
, 5F003BE90
, 5F003BH99
, 5F003BP05
, 5F003BP06
, 5F003BP07
, 5F003BP10
, 5F003BP21
, 5F003BP25
