特許
J-GLOBAL ID：200903040933963052
残留磁束密度の低い軟磁性合金材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-284072
公開番号（公開出願番号）：特開平9-184051
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】ギャップを設けることなく、偏磁を抑えることができる残留磁束密度の低い軟磁性合金材を提供すること。【解決手段】Ni、Co、Feなどの強磁性元素を基となる元素とし、例えばSi、Al、Ni、Co、Feのうちの1種または2種以上の元素を合金元素としてなる軟磁性合金材であって、合金元素が厚さ方向に濃度勾配を有する残留磁束密度の低い軟磁性合金材。
請求項（抜粋）：
基となる元素と合金元素とからなる軟磁性合金材であって、合金元素が厚さ方向に濃度勾配を有することを特徴とする残留磁束密度の低い軟磁性合金材。
IPC (3件)：
C22C 38/00 303
, C22C 38/10
, H01F 1/147
C22C 38/00 303 S
, C22C 38/10
, H01F 1/14 A
