特許
J-GLOBAL ID：200903040935260385
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-162426
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066411
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【構成】 SOI膜103内にそのチャネル形成層114に隣接してp+ 拡散領域110が形成され、この領域110に基板コンタクト111が接続される。基板101の絶縁膜102との境界部分にはp+ 拡散領域112が形成され、この領域112はゲート電極106先端部と正孔吸収用のp+ 拡散領域110とがオーバーラップする領域の直下して設けられる。そして、そのコンタクト113から負電圧を印加するとオーバラップ部OLの正孔に対するポテンシャルが低下し、エネルギバリアEB(図1(c)の破線)が消去され、チャネル形成層114内でインパクトイオン化により発生した正孔の領域110への誘導を果たせる。【効果】 ドレイン破壊電圧が上昇し、薄膜FETの電源レベルが上昇する。
請求項（抜粋）：
半導体支持基板上に下地絶縁膜を介して半導体膜が形成され、かつ該半導体膜の誘電率をεSi、該半導体膜のフェルミエネルギと真性フェルミエネルギとの差をφF 、電子電荷をq、前記半導体膜の不純物濃度をNSUB としたとき、該半導体膜の厚さが2[εSi・φF /q・NSUB ]1/2以下となるように形成されたSOI構造の半導体基板と、前記半導体膜に形成された第1導電型の高濃度不純物拡散領域からなるソース領域と、前記半導体膜に前記ソース領域から所定距離を置いて形成された前記第1導電型の高濃度不純物拡散領域からなるドレイン領域と、前記半導体膜の前記ソース領域と前記ドレイン領域とに挟まれたチャネル形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体膜の前記チャネル形成領域に隣接し、かつ前記ゲート電極と一部オーバラップするように形成された前記第2導電型の高濃度不純物拡散領域からなり、前記第2導電型の不要キャリアを吸引するチャネル引出し領域と、前記半導体支持基板内であって前記ゲート電極と前記チャネル引出し領域とがオーバラップする領域の直下に形成された前記第2導電型の高濃度不純物拡散領域からなり、前記半導体膜における該オーバラップ領域のポテンシャルを制御することにより前記チャネル形成領域に発生している前記第2導電型の不要キャリアを前記チャネル引出し領域へ導く不要キャリア誘導領域とを備えていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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