特許

J-GLOBAL ID：200903040935736380

光電変換装置、固体撮像装置およびこれらの製造方法

発明者： 村上 一朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019827
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224256
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】 高性能化を図ることが可能となると共に、製造工程の自由度が高まる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板11の界面のうち光電変換部10Aの上方が少なくとも露出された状態で、シアノ化カリウム水溶液に浸す。半導体基板11の界面のシリコンのダングリングボンドが、高温のプロセスを経てもシリコンのダングリングボンドとの結合が切断されないシアノイオンで終端化される。半導体基板11の界面のシリコンのダングリングボンドは、シアノイオンによって十分に終端化されているので電気的に不活性となり、半導体基板11の界面付近で暗電流が発生することがなくなる。また、半導体基板11の界面のシリコンのダングリングボンドが熱に対して強いシアノイオンで終端化されているので、このシアノイオンで終端化した後、特に高温の加熱処理が必要なカバー膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を有する光電変換装置であって、前記半導体基板の前記絶縁膜との界面におけるダングリングボンドが炭素と窒素の化合物または前記化合物のイオンによって終端化されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 A

Fターム (21件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118EA14 ,  4M118EA20 ,  4M118GB03 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA03 ,  5F049PA11 ,  5F049QA02 ,  5F049RA02 ,  5F049SS03 ,  5F049SS07