特許
J-GLOBAL ID：200903040936474591
エツチング方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-157018
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006876
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 LSI配線用のCu膜を低温、かつ高速でエッチングすることのできる技術を提供する。【構成】 半導体ウエハ7上に堆積したCu膜をドライエッチングする際のエッチングガスとして、塩素系ガスにアンモニアガス、酸化窒素系ガスまたは酸化炭素系ガスを添加した混合ガスを用いるエッチング方法である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に堆積したCu膜をドライエッチングで加工する際、塩素系ガスにアンモニアガス、酸化窒素系ガスまたは酸化炭素系ガスを添加した混合ガスを用いることを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
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