特許

J-GLOBAL ID：200903040937893792

リフロー装置

発明者： 向吉 大和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003169
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196736
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 熱容量の異なる電子部品を同時に回路基板などに半田付けする。【解決手段】 リフロー炉4の温度や搬送速度は、熱容量の小さいチップ抵抗16やチップコンデンサ18などの電子部品に合わせて設定されており、回路基板6がリフロー炉4内をベルトコンベア7により搬送されることで、これらの部品は半田付けされる。一方、センサ10が、ベルトコンベア7により搬送される回路基板6がリフロー炉4の入口24を通過したことを検出すると、加熱制御手段12は、その後、所定時間が経過し、集積回路14がノズル20下を通過するタイミングで、局所加熱手段8の熱風供給手段22を作動させる。これにより、ノズル20から熱風が噴出し、熱容量の大きい集積回路14のみが加熱される。したがって、熱容量の大きい集積回路14も必要な温度に上昇して確実に半田付けされる。

請求項（抜粋）：

半田付け対象を搬送手段により搬送しつつリフロー炉で加熱するリフロー装置であって、前記リフロー炉内に配置した加熱部を含み、前記搬送手段により搬送される前記半田付け対象の局所を前記加熱部により半田が溶融する温度に加熱する局所加熱手段と、前記搬送手段により搬送される前記半田付け対象が特定位置を通過したことを検出するセンサと、前記半田付け対象が前記特定位置を通過したことを前記センサが検出して所定時間が経過したとき、前記局所加熱手段を作動させて前記半田付け対象の前記局所を加熱させる加熱制御手段とを備えたことを特徴とするリフロー装置。

IPC (5件)：

H05K 3/34 507 ,  H05K 3/34 ,  B23K 1/00 ,  B23K 1/008 ,  B23K 3/04

FI (6件)：

H05K 3/34 507 G ,  H05K 3/34 507 K ,  H05K 3/34 507 L ,  B23K 1/00 A ,  B23K 1/008 C ,  B23K 3/04 Y

Fターム (7件)：

5E319AA01 ,  5E319AC01 ,  5E319BB05 ,  5E319CC49 ,  5E319CC58 ,  5E319CD35 ,  5E319GG11