特許

J-GLOBAL ID：200903040939926680

テクスチャ化されたBiを基にした酸化セラミック膜

発明者： デブラ エー デスロチャーズ ,  ブライアン シー ヘンドリックス ,  ジェフリー エフ ローダー ,  フランク エス ヒンターマイアー
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト ,  アドヴァンスト テクノロジー マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-584524
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530888
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：

【要約】キャパシタが、結晶学的テクスチャを有するBiを基にした酸化金属を含み、高度に切り換え可能な分極を生じる、不揮発性メモリセルに関する。

請求項（抜粋）：

導電体層および導電体層と電気的に接触しているBiを基にした強誘電体層を有し、その際、Biを基にした強誘電体層がその組成によって制御される結晶学的テクスチャを有する、強誘電体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  C04B 35/495 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 C ,  C04B 35/00 J

Fターム (34件)：

4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA40 ,  4G030AA43 ,  4G030BA09 ,  4G030CA08 ,  4G030GA23 ,  4G030GA33 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA08 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33