特許
J-GLOBAL ID：200903040940432399
バンプ形成方法及びバンプ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-034284
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232137
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】本発明は、バンプにおいて、電極間のピツチが狭い場合にもボンデイングが容易であり、かつボンデイング時においてパツドに破損を与える心配のないバンプを提案する。【構成】パツド上に形成されるバンプを逆台形形状に形成する。これによりバンプを介して半導体チツプと外部電極をボンデイングする場合にも、下端面によつてパツドが破損するおそれがなく、また上端面が広いため外部電極との位置合わせを容易にすることができる。
請求項（抜粋）：
配線用の外部電極と半導体チツプの表面電極とを電気的に接続するバンプの形成方法において、上記バンプをメツキ処理する際に共通電極となるバリヤメタル層を上記半導体チツプの表面を覆うように形成した後、上記バリヤメタル層上にレジスト層を積層し、当該レジスト層のうち上記表面電極の上方領域にあたる部分にバンプ形成用の開孔を形成する続いて上記レジスト層を加熱し、上記レジスト層に形成された開孔のうち上記バリヤメタル側の開口面積が表面側の開口面積よりも小さくなるように上記開孔の内壁を傾斜させる次に上記開孔にメツキ処理によつて上記バンプを形成し、表面を純水によつて洗浄する続いて上記レジスト層を剥離し、その後上記バンプの周辺を覆うバリヤメタル層を取り除くことにより上記表面電極上に上記バンプを形成することを特徴とするバンプ形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 C
