特許

J-GLOBAL ID：200903040945185861

単結晶原料補助溶解装置及び単結晶原料補助溶解装置における単結晶原料溶解方法

発明者： 高瀬 伸光 ,  町田 倫久 ,  白石 裕
出願人/特許権者： 株式会社スーパーシリコン研究所
代理人 (1件)： 二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-080349
公開番号（公開出願番号）：特開平11-255589
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】【課題】 補助ルツボ内の原料を誘導加熱式により加熱して溶解する際の熱効率を向上させて溶解時間を短縮する。【解決手段】 2次誘導電流は導電体の表面に集まりやすく、この傾向は周波数が高くなるほど激しくなるので、導電性サセプタ2の厚さと、高周波コイル3に印加される周波数は、導電性サセプタ2の厚さが2次誘導電流の浸透深さより薄くなるように選択されている。原料の導電率が比較的小さいときに高周波コイル3に高周波電流を印加すると、導電性サセプタ2に2次誘導電流が発生し、導電性サセプタ2がこの2次誘導電流によりジュール発熱する。導電性サセプタ2の熱が補助ルツボ1を介して内部の原料に伝達されて原料が加熱される。原料が低温であって導電率が比較的小さいときに比較的低周波数の電力を印加し、前記原料が高温であって導電率が比較的大きいときに比較的高周波数の電力を印加する。

請求項（抜粋）：

単結晶の原料を補助ルツボ内で加熱して溶解し、この溶解原料を主ルツボに供給するための単結晶原料補助溶解装置において、前記補助ルツボを支持する導電性のサセプタと、前記サセプタの回りに巻回され、高周波電力が印加されるコイルとを有し、前記サセプタの厚さと前記コイルに印加される周波数は、前記サセプタの厚さが2次誘導電流の浸透深さより薄くなるように選択されていることを特徴とする単結晶原料補助溶解装置。