特許

J-GLOBAL ID：200903040946285614

半導体発光素子の製法

発明者： 松本 幸生 ,  細見 忠敬
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-121361
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314125
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 MOCVD装置でバッチ処理により連続的に半導体層の積層を行う場合に、前のバッチ処理で最後に成長した半導体層の不純物の影響を受けることなく、所望のキャリア濃度となるように半導体層を成長し、安定した品質の半導体発光素子が得られる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 第1のバッチ処理を終了した後に、ダミー基板をセッティングし、第1のバッチ処理で積層される半導体層の最上層の導電形(たとえばp形)と異なる導電形(たとえばn形)の半導体層を成長する工程を挿入し、ついで第1のバッチ処理と同様の第2のバッチ処理を行い、またダミー基板へのn形層の成長工程を繰り返す。

請求項（抜粋）：

MOCVD装置内で第1のウェハ上に半導体層を積層して半導体発光素子を製造し、引き続き同じMOCVD装置で異なるウェハ上に半導体層を積層するバッチ処理を繰り返すことにより、半導体発光素子を量産する方法であって、前記バッチ処理の間にダミー基板をセッティングし、前記積層される半導体層の最上層の導電形と異なる導電形の半導体層を成長する工程を挿入することを特徴とする半導体発光素子の製法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205

Fターム (23件)：

4K030AA05 ,  4K030AA08 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA25 ,  4K030BA51 ,  4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA49 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045BB01 ,  5F045EB06