特許

J-GLOBAL ID：200903040946882310

圧電体薄膜素子、これを用いたインクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンタ、並びに、圧電体薄膜素子の製造方法

発明者： 角 浩二 ,  邱 宏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-011405
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214763
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 圧電体薄膜における残留ひずみの影響を除くことができ、圧電ひずみ特性に優れた機構を提供する。【解決手段】 圧電体薄膜の結晶粒同士の境界である粒界に、圧電体薄膜素子を分極処理(ポーリング)した後においても、異物が存在しないか、又は異物の存在量が少ないこと。また、粒界の幅が5nm以下であること。また、結晶粒界が隣接する結晶粒の配向とは連続しない、不連続層であること。

請求項（抜粋）：

圧電体薄膜と、該圧電体膜を挟んで配置される上部電極と下部電極とを備えた圧電体薄膜素子において、前記圧電体薄膜を構成する結晶粒と結晶粒との間に、この結晶粒の配向とは連続しない結晶粒界が形成されており、この結晶粒界には前記結晶粒から析出した異物がほぼ存在しない圧電体薄膜素子。

IPC (5件)：

H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16

FI (4件)：

H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜被覆基板並びに強誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-302133   出願人：シャープ株式会社