特許

J-GLOBAL ID：200903040951027585

電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法

発明者： 岩城 孝志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-174031
公開番号（公開出願番号）：特開平11-025850
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 多数の電子放出素子を配置した大面積構成においても、狭い間隔の真空容器内の分圧に影響されず、各素子の電子放出特性を均一に高品質の画像を得ることを課題とする。【解決手段】 基体上に、対向する一対の素子電極と、該素子電極に電気的に接続され、その一部に電子放出部を有する導電性膜と、該導電性膜上に積層されその一部が炭化されたポリイミド膜よりなる電子放出素子の製造方法であって、以下の工程を有する、前記導電性膜に亀裂を形成する工程と、前記亀裂の形成された前記導電性膜上に、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の膜を形成する工程と、該ポリアミド酸を過熱してイミド化し、前記ポリイミド膜とする工程と、上記素子電極間に電圧を印加し、上記ポリイミド膜の上記亀裂近傍を炭化して電子放出部を形成する工程、からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基体上に、対向する一対の素子電極と、該素子電極に電気的に接続され、その一部に電子放出部を有する導電性膜と、該導電性膜上に積層されその一部が炭化されたポリイミド膜よりなる電子放出素子の製造方法であって、以下の工程を有する、前記導電性膜に亀裂を形成する工程;前記亀裂の形成された前記導電性膜上に、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の膜を形成する工程;該ポリアミド酸を過熱してイミド化し、前記ポリイミド膜とする工程;および上記素子電極間に電圧を印加し、上記ポリイミド膜の上記亀裂近傍を炭化して電子放出部を形成する工程、からなることを特徴とする電子放出素子の製造方法。