特許

J-GLOBAL ID：200903040951044480

シリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハ

発明者： 小野 敏昭 ,  田中 忠美 ,  宝来 正隆
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-376234
公開番号（公開出願番号）：特開2004-175658
出願日： 2003年11月05日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】 ミスフィット転位の発生を効果的に抑制するシリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。【解決手段】 ボロンとゲルマニウムとを-0.8×10-3≦4.64×10-24×[Ge]-2.69×10-23×[B]≦1.5×10-3の関係式を満たす範囲でシリコンウェーハにドープしたので、高濃度にボロンが添加されたシリコンウェーハにシリコンエピタキシャル層を成長する場合に生じるミスフィット転位を低減することができる。ただし、[B]はボロン濃度、[Ge]はゲルマニウム濃度、濃度単位はatoms/cm3とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により育成され、ボロンとゲルマニウムとが添加されたシリコン単結晶インゴットをスライスして作製されたシリコンウェーハにおいて、 ボロンとゲルマニウムとが、 -0.8×10-3≦4.64×10-24×[Ge]-2.69×10-23×[B]≦1.5×10-3 の関係式を満たす範囲でドープされたシリコンウェーハ。 ただし、[B]はボロン濃度、[Ge]はゲルマニウム濃度、濃度単位はatoms/cm3とする。

IPC (3件)：

C30B29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322

FI (4件)：

C30B29/06 A ,  C30B29/06 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 Y

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA12 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第4769689号
  

審査官引用 (3件)

• 特開平3-080200
  
• 特開昭62-072595
  
• 特開昭61-141700