特許

J-GLOBAL ID：200903040956472552

半導体装置およびその作製方法

発明者： 竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-235461
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066425
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 同一基板上に、低リーク電流の薄膜トランジスタ(TFT)と高速動作トランジスタを形成する作製する方法を提供する。【構成】 非晶質珪素を結晶化させる触媒作用を有する金属元素を選択的に添加・アニールすることによって、珪素膜に方向性を持たせて結晶化させ、このように結晶化した珪素膜を用いて、TFTを作製する際に、結晶化方向が、ソース/ドレイン間の電流の向きに概略平行になるように配置したTFTと、ソース/ドレイン間の電流の向きに概略垂直になるように配置したTFTとを作製する。そして、前者を高速動作が要求されるトランジスタ、後者を低リーク電流が要求されるトランジスタとして用いる。例えば、アクティブマトリクス回路とその駆動のための周辺回路とを同一基板上に有するモノリシック回路において、前者を周辺回路のドライバートランジスタ、後者をアクティブマトリクス回路の画素トランジスタに用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に基板表面に平行に結晶成長し、その表面が熱酸化によって形成された酸化珪素層によって覆われた結晶性珪素膜を有し、前記結晶性珪素膜を利用して薄膜トランジスタが多数設けられており、前記多数の薄膜トランジスタの一部において、前記結晶性珪素膜中のキャリアの移動する方向と結晶成長方向とが第1の特定の角度を有するように構成され、前記多数の薄膜トランジスタの他の一部において、前記結晶性珪素膜中のキャリアの移動する方向と結晶成長方向とが第1の特定の角度とは異なる第2の特定の角度を有するように構成され、ていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/26 L ,  H01L 29/78 311 A