特許

J-GLOBAL ID：200903040961370385

高性能プローブ

発明者： 長谷川 浩幸
出願人/特許権者： 有限会社ジェイネット ,  有限会社ジェイネット・テクノロジー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325655
公開番号（公開出願番号）：特開2003-090848
出願日： 2001年09月18日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】 IC導通・特性検査や基板導通・特性検査機などに使用されているプローブに関し、使用寿命と高周波特性を飛躍的に向上させる。【解決手段】 検査機用のプローブの材質をHRC50以上の硬度を有するSKD、SKH、ステンレス、超硬合金で形成するものとし、その表面に銀またはアルミニウムまたは銅をスパッタリングさせることする。

請求項（抜粋）：

検査機用のプローブの材質をHRC50以上の硬度を有するSKD、SKH、ステンレス、超硬合金で形成するものとし、その表面に銀またはアルミニウムまたは銅をスパッタリングさせて使用寿命を著しくのばし、高周波領域の測定精度を著しく改善できることを特徴とするプローブ。

IPC (4件)：

G01R 1/067 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01R 1/067 J ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/66 B ,  G01R 31/28 K

Fターム (17件)：

2G003AA07 ,  2G003AB01 ,  2G003AG03 ,  2G003AG12 ,  2G011AA03 ,  2G011AC14 ,  2G011AC32 ,  2G011AE02 ,  2G132AB01 ,  2G132AD15 ,  2G132AF01 ,  2G132AL11 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106CA15 ,  4M106DD03 ,  4M106DD15