絶縁ゲート型サイリスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213226
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041515
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】優れたオン特性を維持しながら、ターンオフ能力の向上を図った絶縁ゲート型サイリスタを提供することを目的とする。【構成】n- 型ベース層1の一方の面に少なくとも一対の溝4が形成され、この溝4内に絶縁ゲート電極5が埋込まれ、溝4に挟まれた領域の表面部にn+ 型カソード層7が形成され、n- 型ベース層1の他方の面にはn型バッファ層2を介してp+ 型アノード層3が形成されて、絶縁ゲート型サイリスタが構成されている。絶縁ゲート電極5の端部側面に接して、p+ 型ソース層8,n型チャネル層9およびp+ 型ドレイン層10がn- 型ベース層1に連続して形成されて、ターンオフ時にホールを排出するための縦型MOSトランジスタが構成されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型ベース層と、前記第1導電型ベース層の一方の面に形成された第1導電型の第1の主電極領域と、前記第1導電型ベース層の他方の面に形成された第2導電型の第2の主電極領域と、前記第1の主電極領域から第1導電型ベース層の途中まで達する深さをもって形成された、所定間隔で対向する少なくとも一対の溝と、前記溝の内部に埋込み形成された絶縁ゲート電極と、前記第1導電型ベース層内の第2導電型キャリアを外部に排出するためのターンオフ用絶縁ゲート型トランジスタ構造と、を備えたことを特徴とする絶縁ゲート型サイリスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/74 , H01L 27/092 , H01L 29/784

FI (4件)：

H01L 27/08 321 B , H01L 27/08 321 G , H01L 29/78 321 J , H01L 29/78 321 V

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭57-043461
特公昭57-004100
特開昭62-247567

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