特許

J-GLOBAL ID：200903040974430468

半導体装置およびその製造方法

発明者： 柳町 信三
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-072769
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260604
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【構成】 高耐圧Pチャンネルトランジスタ63はN- 型拡散層2に設け、半導体基板1とシリコン酸化膜21上に設けるゲート電極18とP++型拡散層33とN+ 拡散層31とからなるソース16とP++型拡散層34とP+ 拡散層35とからなるドレイン17とを備え、高耐圧Nチャンネルトランジスタ64はP- 型拡散層3に設け、半導体基板とシリコン酸化膜上に設けるゲート電極と、N++型拡散層36とP+ 拡散層32とからなるソース13と、N++型拡散層37とN+ 拡散層39とからなるドレイン12とを備える半導体装置およびその製造方法。【効果】 高耐圧PチャンネルトランジスタではN+ 型拡散層をソース領域に形成し、高耐圧NチャンネルトランジスタではP+ 型拡散層をソース領域に形成することによって、インパクトイオン化によるPN接合障壁の低下を抑制して耐圧を向上させる効果がある。

請求項（抜粋）：

PチャンネルトランジスタとNチャンネルトランジスタと高耐圧Pチャンネルトランジスタと高耐圧Nチャンネルトランジスタとを備え、PチャンネルトランジスタはN- 型拡散層に設け、P++型拡散層からなるソースとドレインとを備え、NチャンネルトランジスタはP- 型拡散層に設け、N++型拡散層からなるソースとドレインとを備え、高耐圧PチャンネルトランジスタはN- 型拡散層に設け、半導体基板とシリコン酸化膜上に設けるゲート電極とP++型拡散層とN+ 拡散層とからなるソースとP++型拡散層とP+ 拡散層とからなるドレインとを備え、高耐圧NチャンネルトランジスタはP- 型拡散層に設け、半導体基板とシリコン酸化膜上に設けるゲート電極と、N++型拡散層とP+ 拡散層とからなるソースと、N++型拡散層とN+ 拡散層とからなるドレインとを備えることを特徴とする半導体装置。