特許

J-GLOBAL ID：200903040974808290

半導体発光素子の製造方法

発明者： 和田 浩 ,  上條 健
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社 ,  技術研究組合新情報処理開発機構
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181197
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036486
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 製造歩留りが良く、ダブルヘテロ構造の結晶層の成長に高度な成長技術を必要としない半導体発光素子の製造方法。【構成】 初期のInP半導体基板10にInGaAsエッチストップ層12およびInP/InGaAsPのDH結晶層20を順次に成長させる。DH結晶層の最上部のInGaAsキャップ層28にガラス支持基板30を、接着剤32としてワックスを用いて、固定した後、この半導体基板とエッチストップ層を順次に除去する。然る後、DH結晶層のInP第1クラッド層22の露出面にSi基板50の表面を密着させてから熱処理を行なって両面を接合させる。その後、DH結晶層を利用してレーザ素子を作る。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上にエッチストップ層とダブルヘテロ構造の結晶層とを順次に成長させる工程と、(b)該結晶層の表面を接着剤を用いて支持基板に固定する工程と、(c)前記半導体基板およびエッチストップ層を化学エッチングにより除去する工程と、(d)前記結晶層の露出した表面を洗浄する工程と、(e)前記半導体基板とは格子定数の異なった異種半導体基板の表面を洗浄する工程と、(f)前記結晶層の露出した表面と前記異種半導体基板の表面とを直接密着させて固定する工程と、(g)前記接着剤を除去して前記異種半導体基板に前記結晶層が密着固定している構造体を得る工程と、(h)該構造体を熱処理して前記結晶層と前記異種半導体基板とを接合させる工程と、(i)その後、該構造体の前記結晶層を用いて発光素子を作る工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光ダイオードの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-064528   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 特開平4-010536