特許

J-GLOBAL ID：200903040974808940

酸化物薄膜の結晶成長方法

発明者： 酒井 滋樹 ,  右田 真司
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-122632
公開番号（公開出願番号）：特開平11-278996
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】【課題】 構成元素の一つであるビスマスの組成の過不足を防ぎ、高品質のBi2Sr2CaCu2O8酸化物薄膜を成長させることができるようにする。【解決手段】 気相成長法を用いてBi2Sr2CaCu2O8酸化物薄膜304を結晶成長させる酸化物薄膜の結晶成長方法において、各段階での環境温度は一定に設定した状態で、第1段階として土台301上に、ビスマスを構成元素に含む多元系酸化物薄膜の結晶成長法によって、Bi2Sr2CuO6酸化物薄膜302を1分子層だけ結晶成長させ、第2段階として薄膜302に含まれるストロンチウムの原子数のそれぞれ1/2の量のカルシウム原子及び銅原子を、薄膜302の上に堆積して原子堆積層303を形成し、第3段階としてBi2Sr2CuO6酸化物薄膜302と、カルシウム原子及び銅原子とを反応させ、Bi2Sr2CaCu2O8酸化物の薄膜304を結晶成長させるようにした、ことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

気相成長法を用いてBi2Sr2CaCu2O8酸化物の薄膜を結晶成長させる酸化物薄膜の結晶成長方法において、第1段階として成長環境をビスマスの単体酸化物は生成しないが目的の多元系酸化物は生成する条件に設定し、該成長環境にビスマスを他の元素より過剰に供給することによって、ビスマスの不足を防止するとともに余分なビスマスを薄膜から蒸発させることを特徴とするビスマスを構成元素に含む多元系酸化物薄膜の結晶成長法によって、Bi2Sr2CuO6酸化物薄膜を1分子層だけ結晶成長させ、第2段階として、環境温度を前記第1段階と同一温度に設定した状態で、前記Bi2Sr2CuO6酸化物薄膜に含まれるストロンチウムの原子数のそれぞれ1/2の量のカルシウム原子及び銅原子を前記Bi2Sr2CuO6酸化物薄膜の上に堆積し、第3段階として、環境温度を前記第1段階と同一温度に設定した状態で、前記Bi2Sr2CuO6酸化物薄膜と前記堆積したカルシウム原子及び銅原子とを反応させ、Bi2Sr2CaCu2O8酸化物の薄膜を結晶成長させるようにした、ことを特徴とする酸化物薄膜の結晶成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/22 501 ,  C23C 14/08

FI (2件)：

C30B 29/22 501 L ,  C23C 14/08 L