発光素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-136233
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047973
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】電流阻止層が埋設された電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】発光素子100の製造に際し、単結晶基板上1に、それぞれIII-V族化合物半導体からなる発光層部24と電流拡散層7とを形成する。発光層部24は有機金属気相成長法により形成する。また、発光層部24の上に、III族元素としてGaを必須とするIII-V族化合物半導体よりなる電流拡散層7をハイドライド気相成長法により形成する。さらに、電流拡散層7の厚さ方向の中間位置に、該電流拡散層7とは導電型の異なるIII-V族化合物半導体よりなる電流阻止層10を埋設形成する。そして、電流拡散層7の、電極の側において該電流阻止層を覆う部分を少なくとも、前記第二の気相成長工程により形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に、それぞれIII-V族化合物半導体からなる発光層部と電流拡散層とを形成し、前記発光層部に発光駆動電圧を印加するための電極を形成する発光素子の製造方法において、前記単結晶基板上に、前記発光層部を有機金属気相成長法により形成する第一の気相成長工程と、前記発光層部の形成後に実施される、前記電流拡散層を形成するためのハイドライド気相成長法による第二の気相成長工程と、前記電流拡散層に、該電流拡散層とは導電型の異なるIII-V族化合物半導体よりなる電流阻止層を埋設形成する電流阻止層形成工程とを含み、前記電流拡散層の、前記電極側において該電流阻止層を覆う部分を少なくとも、前記ハイドライド気相成長法により形成することを特徴とする発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L33/00 , H01L21/205

FI (2件)：

H01L33/00 B , H01L21/205

Fターム (28件)：

5F041AA31 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA49 , 5F041CA53 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CB03 , 5F041CB36 , 5F045AA01 , 5F045AB11 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AF04 , 5F045BB08 , 5F045CA09 , 5F045DA68

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-229665
特開平2-303068

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