特許

J-GLOBAL ID：200903040976870295

新規ビススルホニルジアゾメタン

発明者： 佐藤 和史 ,  新田 和行 ,  島巻 利治 ,  庫本 伸哉 ,  早川 訓男
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社 ,  ダイトーケミックス株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-198954
公開番号（公開出願番号）：特開平11-035573
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1999年02月09日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅型レジストの酸発生剤として用いた場合、露光部と未露光部のコントラストに優れ、高残膜率を示す新規なビススルホニルジアゾメタンを提供する。【解決手段】 一般式【化1】(Rは水素原子、又は同一環内の2個のRでジメチルメチレン基を形成する基、nは0又は1)で表わされるビススルホニルジアゾメタンとする。

請求項（抜粋）：

一般式【化1】(式中のRはそれぞれ水素原子であるか、又は同一環内の2個のRでジメチルメチレン基を形成する基であり、nは0又は1である)で表わされるビススルホニルジアゾメタン。

IPC (2件)：

C07D309/10 ,  G03F 7/004 503

FI (2件)：

C07D309/10 ,  G03F 7/004 503 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ポジ型レジスト膜形成用塗布液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-172899   出願人：東京応化工業株式会社
• 化学増幅型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-198979   出願人：東京応化工業株式会社