特許

J-GLOBAL ID：200903040984122788

フォトマスクおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 恵友
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086925
公開番号（公開出願番号）：特開2001-272769
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】部分的に厚みの異なるレジストパターンを形成する。【解決手段】まず、ガラス基板11の表面にフラーレンを蒸着させて、フラーレン蒸着膜13を形成する。そして、このフラーレン蒸着膜13に対して、各領域13a,13b,13cごとに所定量のビームを照射した後、フラーレン蒸着膜13に有機溶剤を供給して、未反応のフラーレンを溶解して除去することにより、ガラス基板11上に部分的に厚みが異なるマスクパターン12が得られる。こうして得られるマスクパターン12を用いて半導体基板31上のレジスト膜36を露光し、その露光後のレジスト膜36を現像することにより、絶縁膜32上に、マスクパターン12に対応して部分的に厚みの異なるレジストパターン37が得られる。

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィ技術に用いられるフォトマスクであって、透明な基板の表面に、フラーレンポリマーからなるマスクパターンが形成されていることを特徴とするフォトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

G03F 1/08 J ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/302 J

Fターム (16件)：

2H095BB02 ,  2H095BB31 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08 ,  2H095BC09 ,  5F004BA17 ,  5F004BB03 ,  5F004EA01 ,  5F004EA04 ,  5F004EA08 ,  5F004EA37 ,  5F004EB01 ,  5F004EB07 ,  5F046AA20 ,  5F046AA26 ,  5F046CB17