特許
J-GLOBAL ID：200903040988293471
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291873
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335370
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 パッドベッドを容易に形成すると共に、ボンデイングパッド部での膜剥れを防止するためのパッドベッドを保護することによって絶縁膜に対する付着力を向上させた半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】 ボロンを含むBPSG絶縁膜4に形成したコンタクト孔内に形成されたコンタクトプラグおよび配線のボンデイングパッド部30の下に形成されたパッドベッドとを3層に形成されたポリシリコン膜7、8、9から形成することによって、工程増を押さえることができる。このパッドベッドに保護膜を設けることも可能である。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたボロンを含む絶縁膜と、前記ボロンを含む絶縁膜の上またはこの絶縁膜に形成した溝内に設けられたパッドベッド層と、前記ボロンを含む絶縁膜に形成されたコンタクト孔と、前記コンタクト孔内に埋設され、少なくとも一部が前記パッドベッド層と同じ材料からなるコンタクトプラグと、前記ボロンを含む絶縁膜上に形成され、前記パッドベッド層の上に配置されているボンディングパッド部を有し、前記コンタクトプラグと接触している配線とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/28 301
, H01L 21/90
