特許
J-GLOBAL ID：200903040991088609
マスク用基板の製造方法及びマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277856
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121329
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 シリコンメンブレンの厚さが均一になり、かつできる限り支柱の幅を小さく形成するマスク用基板の製造方法を提供する。【解決手段】p型シリコン基板を用意する工程と、前記p型シリコン基板の一方の面にn型シリコン層をエピタキシャル成長させる工程と、前記n型シリコン層上に保護膜を形成する工程と、前記p型シリコン基板の他方の面に酸化シリコン層を形成する工程と、前記酸化シリコン層に所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに合わせて前記p型シリコン基板を垂直方向にエッチングが可能なドライエッチング法により、p型シリコンとn型シリコンの接合面の約数十μm〜数μm手前までエッチングする工程と、前記接合面までウエットエッチング法によりウエットエッチングし、電気化学エッチストップ法により、エッチングを終了させる工程と、を備えたマスク用基板の製造方法。
請求項（抜粋）：
p型シリコン基板を用意する工程と、前記p型シリコン基板の一方の面にn型シリコン層をエピタキシャル成長させる工程と、前記n型シリコン層上に保護膜を形成する工程と、前記p型シリコン基板の他方の面に酸化シリコン層を形成する工程と、前記酸化シリコン層に所定のパターンを形成する工程と、前記所定のパターンに合わせて前記p型シリコン基板を垂直方向にエッチングが可能なドライエッチング法により、p型シリコンとn型シリコンの接合面の約数十μm〜数μm手前までエッチングする工程と、前記接合面までウエットエッチング法によりウエットエッチングし、電気化学エッチストップ法により、エッチングを終了させる工程と、を備えたマスク用基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 541 S
, G03F 1/16 B
