R面サファイア基板とそれを用いたエピタキシャル基板及び半導体装置、並びにその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-051955
公開番号（公開出願番号）：特開2006-232640
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】A軸配向の窒化物系半導体をR面サファイア基板上に選択横方向成長させるエピタキシャル基板の製造方法ならびにこの方法により製造した基板全面において貫通転位密度が低く、かつ、表面平坦性の優れたエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】R面を有するサファイヤ基板4の主面上に、凹状の溝部11cと凸状のテラス部11bとを交互に有し、上記溝部の幅が0.5〜30μm、深さが0.3〜3μmであり、かつ、テラス部の幅が0.5〜5μmであるR面サファイア基板4上に、下地層13,14を介してあるいは介さずに窒化物系半導体層15を成長させる。該窒化物系半導体層成長時に、III族原料の供給量に対するV族原料の供給量の比を0.01〜100とすることにより選択横方向成長を促進する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

R面を有するサファイヤ基板の主面上に、凹状の溝部と凸状のテラス部とを交互に有し、上記溝部の幅が0.5〜30μm、深さが0.3〜3μmであり、かつ、テラス部の幅が0.5〜5μmであることを特徴とするR面サファイア基板。

IPC (5件)：

C30B 25/18 , C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (5件)：

C30B25/18 , C30B29/38 D , H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/343 610

Fターム (36件)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077DB11 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TB05 , 4G077TC16 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045DA53 , 5F045DB06 , 5F045EE12 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AP06 , 5F173AP23 , 5F173AP24

引用特許：

出願人引用 (2件)

窒化物半導体構造とその製法および発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-216110 出願人：シャープ株式会社
窒化物半導体、半導体素子およびこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-141170 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (1件)

窒化物半導体構造とその製法および発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-216110 出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る