特許

J-GLOBAL ID：200903040995655206

半導体量子井戸光素子

発明者： 菅原 充
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250319
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116128
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ等の半導体量子井戸光素子に関し、窒素化合物半導体を用いた光学遷移の確率が高い半導体量子井戸光素子を提供する。【構成】 In0.3 Ga0.7 N量子井戸層と、このIn0.3 Ga0.7 N量子井戸層を挟みIn0.3 Ga0.7 Nよりも禁制帯幅が大きいIn0.1 Al0.9 N障壁層からなる半導体量子井戸構造を活性層として具える構造を用いる。この量子井戸構造をIn0.3 Ga0.7 N量子井戸層また、In0.1 Al0.9 N障壁層よりも禁制帯幅が大きいAlNクラッド層によって挟むことができる。量子井戸層をInNによって構成することができ、また、障壁層を量子井戸層よりも禁制帯幅が大きい組成を有するAlGaN,InAlN,AlGaInN,AlN等によって構成することができる。

請求項（抜粋）：

InN井戸層と、該InN井戸層を挟みInNよりも禁制帯幅が大きいInAlN障壁層からなる半導体量子井戸構造を活性層として具えることを特徴とする半導体量子井戸光素子。