特許
J-GLOBAL ID：200903040996661030
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319404
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162719
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 片方のキャリアのドーピングの制御性しか良くない半導体材料を用いて、特に短波長の室温連続発振が可能な半導体レーザ装置を提供する。【構成】 電子放出素子21と、ストライプ状半導体レーザ構造体25と、電子放出素子21から放出された電子をストライプ状半導体レーザ構造体25に収束させるための電子レンズ系23とを具備する半導体レーザ装置において、ストライプ状半導体レーザ構造体25が、単一の導電型の半導体と、ノンドープの半導体のみで構成されていて、且つ、ストライプ部上にショットキー電極18が、基板側にオーミック電極19が配置されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも、電子放出素子と、ストライプ状半導体レーザ構造体と、前記電子放出素子から放出された電子を、前記ストライプ状半導体レーザ構造体に入射させるための電子光学系とを備えた半導体レーザ装置において、前記ストライプ状半導体レーザ構造体が、単一の導電型の半導体と、ノンドープの半導体のみで構成されていて、且つ、ストライプ部上にショットキー電極が、基板側にオーミック電極が配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 33/00
, H01S 3/0959
