窒化物系半導体発光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-144083
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344020
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】熱歪によってn型電極の剥離を生じない窒化物系半導体発光装置を提供する。【解決手段】n-GaN基板101上に窒化物系半導体多層膜102からなる発光素子を有し、発光素子の基板側をマウント面に固定した窒化物系半導体発光装置において、窒化系半導体多層膜とは逆の基板面に、Hf、Zr、Scのいずれか1つよりなる第1の金属と、Al、Agのいずれか1つである第2の金属を含む金属層105と、第2の金属からなるオーミック電極106が形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

n-GaN基板上に窒化物系半導体多層膜からなる発光素子を有し、該発光素子の基板側をマウント面に固定した窒化物系半導体発光装置において、窒化物系半導体多層膜とは逆の基板面に第1の金属と第2の金属を含む金属層と、第2の金属からなるオーミック電極が形成されていることを特徴とする窒化物系半導体発光装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 21/28 301 H , H01L 21/28 301 R

Fターム (30件)：

4M104AA04 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104CC01 , 4M104DD35 , 4M104DD37 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104FF03 , 4M104FF17 , 4M104GG04 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 5F041AA09 , 5F041AA25 , 5F041AA40 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA40 , 5F041CA83 , 5F041CA92 , 5F041DA02 , 5F041DA03 , 5F041DA07 , 5F041DA17 , 5F041DA19 , 5F041DA34 , 5F041DA44 , 5F041FF01 , 5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (8件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-144502 出願人：日亜化学工業株式会社
n型窒化物半導体層の電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-173201 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-334574 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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