特許
J-GLOBAL ID:200903041002172180
フッ素化ポリマー組成物及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
頓宮 孝一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-069549
公開番号(公開出願番号):特開平6-088000
出願日: 1991年01月14日
公開日(公表日): 1994年03月29日
要約:
【要約】 (修正有)【構成】フッ素化ポリマー物質並びに7ミクロンより大きくない平均粒径を有するシリカ及び/または石英充填剤を含み、低い誘電定数及び低い熱膨張係数を示すフッ素化ポリマー組成物、並びにその中にビアを有する基体を生成させるためのその使用。上の組成物の層は、基体に組成物を適用しそして次に組成物を融解せしめるのに十分な温度に組成物を加熱することによって得られる。【効果】印刷回路基板及びカードのための基体として適当である組成物の層の製造レーザードリリング(drilling)、及び/または機械的ドリリング及び/またはパンチング(punching)によって得られるビア(vias)をその中に含む基体を供給するのに殊に適当である。
請求項(抜粋):
A.フッ素化ポリマー物質;及びB. 約7μmより大きくない平均粒径を有しそしてシリカ、石英粒子、中空微小球及びそれらの混合物の群から選ばれる充填剤;から成り、そして組成物中のA及びBの総量を基にして、Aの量は約50〜約90重量%でありそしてBの量は約50〜約10重量%である、低い誘電定数及び低い熱膨張係数を有する組成物。
IPC (7件):
C08L 27/12 KJF
, B32B 27/30
, C08K 3/36
, C08K 7/22 KJN
, H01L 23/14
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (2件):
H01L 23/14 R
, H01L 23/30 R
引用特許:
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