特許
J-GLOBAL ID：200903041014235888
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-215044
公開番号（公開出願番号）：特開平11-060391
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：
【要約】【課題】 高品質のα型バルク炭化珪素単結晶を的確に得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する【解決手段】 サファイア基板8を用意し、珪素の融点以上かつサファイアの融点未満の温度にて、サファイア基板8の表面にα型炭化珪素単結晶層5を成長させ、このα型炭化珪素単結晶層5を種結晶として炭化珪素単結晶7を形成する。サファイア基板8上に珪素の融点以上かつサファイアの融点未満の温度という高温下で結晶成長を行えば、α型炭化珪素単結晶層5が得られる。そして、このようなα型炭化珪素単結晶層5を種結晶として炭化珪素単結晶7を形成すれば、立方晶(3C)の炭化珪素単結晶から6Hの炭化珪素単結晶に固相転移する場合のような固相転移による結晶欠陥を誘発することなく、高品質なα型(6H)炭化珪素単結晶7を的確に形成することができる。
請求項（抜粋）：
サファイア基板(8)を用意し、珪素の融点以上かつサファイアの融点未満の温度にて、前記サファイア基板(8)の表面に炭化珪素単結晶層(5)を成長させる工程と、前記サファイア基板(8)を除去すると共に、前記炭化珪素単結晶層(5)を台座(1b)に固定して、この台座(1b)を結晶成長装置(1)に装着する工程と、前記炭化珪素単結晶層(5)を種結晶として、この炭化珪素単結晶層(5)上に炭化珪素単結晶(7)を成長させる工程とを備えたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 25/18
, H01L 21/205
C30B 29/36 A
, C30B 25/18
, H01L 21/205
