半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175731
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012847
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】微細化されたMOS型電界効果トランジスタにおいては、ゲート電極はその側部及び上部を窒化膜で保護されているが、特に側壁肩部の窒化膜は層間酸化膜にゲート電極に対して自己整合的にコンタクトを設ける際にエッチングされて薄くなってしまい、コンタクトに埋め込まれるタングステンと短絡し易く、製品の歩留まりが悪化するという問題を有していた。【解決手段】ゲート電極と、それに対して自己整合的に設けられるソース・ドレイン拡散層用のコンタクトとの間に厚い窒化膜を介在させることにより、ゲート電極の側壁肩部にはコンタクト開口におけるエッチング工程を経ても十分な厚さの窒化膜が残り、ゲート電極とコンタクトプラグとの短絡の発生を極小化することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板にゲート酸化膜を形成し、前記ゲート酸化膜上に少なくともポリシリコンを含むゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板に前記半導体基板と導電型の異なる低濃度不純物をイオン注入して低濃度拡散層を形成し、前記ゲート電極の側面を覆う側壁絶縁膜を形成し、前記ゲート電極及び前記側壁絶縁膜をマスクとして前記半導体基板に前記半導体基板と導電型の異なる高濃度不純物をイオン注入して高濃度拡散層を形成し、前記半導体基板全面に第1の金属を被着して熱処理し、シリコンと反応しなかった前記第1の金属を除去し、前記半導体基板全面に層間絶縁膜を形成し、前記高濃度拡散層及び前記ゲート電極上の前記層間絶縁膜の所定部分を除去して導電物を埋め込み前記高濃度拡散層との接続用電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜は、下層から順に積層される第1窒化膜、第1酸化膜、ポリシリコン膜、第2酸化膜のうち、少なくとも第1窒化膜、第1酸化膜、ポリシリコン膜を順次積層して積層膜を形成し、前記ゲート電極上の前記第1酸化膜の一部が露出するまで前記積層膜表面を全面に渡って化学的機械研磨して前記ポリシリコン膜の主表面と前記第1酸化膜の一部が露出した平坦面を形成し、前記ポリシリコン膜をマスクとして前記ゲート電極上の前記第1酸化膜を除去して開口部を設け、前記半導体基板全面に第2窒化膜を成長させ化学的機械研磨して前記開口部に前記第2窒化膜を埋め込み、前記ポリシリコン膜を除去し、前記半導体基板全面に第3酸化膜を成長させることにより形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 21/304 622 , H01L 21/768 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (5件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 21/28 L , H01L 21/304 622 X , H01L 21/90 D , H01L 27/08 321 F

Fターム (68件)：

4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB25 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD37 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104DD88 , 4M104DD89 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F033AA04 , 5F033AA10 , 5F033AA28 , 5F033AA29 , 5F033AA64 , 5F033AA65 , 5F033BA12 , 5F033BA15 , 5F033BA33 , 5F033BA37 , 5F033CA04 , 5F033CA09 , 5F033DA03 , 5F033DA15 , 5F033DA17 , 5F033DA35 , 5F033DA43 , 5F033EA02 , 5F033EA23 , 5F033EA27 , 5F033EA28 , 5F033EA33 , 5F040DA14 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040EF02 , 5F040EF11 , 5F040EH02 , 5F040EH08 , 5F040EJ03 , 5F040EJ08 , 5F040EJ09 , 5F040FA03 , 5F040FA05 , 5F040FA07 , 5F040FA19 , 5F040FB02 , 5F040FB04 , 5F040FC00 , 5F040FC19 , 5F048BB06 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048DA25 , 5F048DA27

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