樹脂封止型半導体装置、電子回路装置およびこの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295223
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153832
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】基板の反りを低減し、実装時において回路基板との接続の信頼性を向上させた樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】基板と、基板表面に配置された半導体素子と、前記半導体素子を封止する樹脂層とを具備し、樹脂層は基板に対し半導体素子が配置された側のみに配置された樹脂封止型半導体装置である。前記樹脂封止型半導体装置は、基板上に半導体素子を配置する工程と、シート状の未硬化樹脂を半導体素子上に配置する工程と、金型内で樹脂シートを硬化成形する工程とからなる製造方法で製造される。前記樹脂層は、成形後の室温における複素弾性率が6.5×109 Pa以下であって、力学正接損失Tanδが0.05以上であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板と、基板表面に配置された半導体素子と、前記半導体素子を封止する樹脂層とを具備し、樹脂層は基板に対し半導体素子が配置された側のみに配置された樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂封止型半導体装置は、基板上に半導体素子を配置する工程と、シート状の未硬化樹脂を半導体素子上に配置する工程と、金型内で樹脂シートを硬化成形する工程とからなる製造方法で製造され、かつ、前記樹脂層は、成形後の室温における複素弾性率が6.5×109 Pa以下であって、力学正接損失Tanδが0.05以上であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 23/30 R , H01L 21/92 602 L , H01L 21/92 604 H

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭57-188852
特開昭62-149157
特開昭63-254790

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