特許

J-GLOBAL ID：200903041035237724

半導体基板の研磨用パッドおよび半導体基板の研磨方法

発明者： 吉田 育弘 ,  深田 哲生 ,  渡谷 隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-070490
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281685
出願日： 2003年03月14日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】被研磨面の温度分布を均一にするとともに、被研磨面の状態を良好にして研磨を行なうことができる半導体基板の研磨用パッドおよび半導体基板の研磨方法を提供する。【解決手段】半導体基板の研磨用パッドは、定盤4の表面に設けられ、連通孔3を含む研磨シート2と、連通孔3を充填するように研磨シート2に設けられ、無機物微粒子6を含むゲル5とを備える。研磨シート2の質量をMとし、研磨シート2に設けられたゲル5の質量をNとするとき、研磨シート2およびゲル5の全体に占めるゲル5の割合N/(M+N)は、0.5≦N/(M+N)≦0.8の関係を満たす。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ベース部材の表面に設けられ、空隙を含むシート部材と、 前記空隙を充填するように前記シート部材に設けられ、無機物微粒子を含むゲル状部材とを備え、 前記シート部材の質量をMとし、前記シート部材に設けられた前記ゲル状部材の質量をNとするとき、前記シート部材および前記ゲル状部材の全体に占める前記ゲル状部材の割合N/(M+N)は、0.5≦N/(M+N)≦0.8の関係を満たす、半導体基板の研磨用パッド。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00

FI (3件)：

H01L21/304 622F ,  H01L21/304 621D ,  B24B37/00 C

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12