特許

J-GLOBAL ID：200903041036060739

炭化珪素半導体素子及びその製造方法

発明者： 高橋 邦方 ,  内田 正雄 ,  楠本 修 ,  山下 賢哉 ,  北畠 真
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-182494
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031471
出願日： 2002年06月24日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】高耐圧の炭化珪素半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板11の主面の一部にプラズマエッチングによってトレンチ溝12を形成した後、炭化珪素基板11上に不純物をドープしたエピタキシャル成長層13,14,15を順次エピタキシャル成長する。エッチング後、ゲート絶縁膜16、ソース電極17、ドレイン電極18及びゲート電極19を形成し縦型MISFETを作製する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体層に活性領域用トレンチ溝を形成する工程Aと、前記工程Aの後、前記活性領域用トレンチ溝を含む前記半導体層上に炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長する工程Bと、前記炭化珪素薄膜の少なくとも一部と接する位置にオーミック電極を形成する工程Cとを含むことを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L29/78 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

FI (7件)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 653A ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658E

Fターム (9件)：

5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045CA05 ,  5F045EK03