特許

J-GLOBAL ID：200903041039439470

半導体ウエハー配線電解メッキ方法

発明者： 小榑 直明 ,  井上 裕章
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269337
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097391
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 反応種の拡散層を薄くでき、微細な配線溝や微細な配線穴に埋め込みメッキが可能で、且つスループットの向上、膜物性の劣化及び膜特性の劣化を防止できる半導体ウエハー配線電解メッキ方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウエハーW面に形成された幅1.0μm以下、アスペクトレシオ(AR)0.1〜50の形状からなる配線溝G及び又は配線穴GにCu(銅)の埋め込み配線を電解メッキで形成する半導体ウエハー配線電解メッキ方法において、電解メッキの電解電流にパルス電流を用い、該パルス電流はそのピーク電流密度が0.01〜80.0A/dm2、パルスデューティ比が0.009〜0.999で、電解メッキ液はCu2+濃度が0.0001〜0.8mol/lの電解メッキ液であり、該電解メッキ液は添加剤を含まない、CuSO4・5H2OとH2SO4の水溶液である。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハー面に形成された幅1.0μm以下、アスペクトレシオ(AR)0.1〜50の形状からなる配線溝及び又は配線穴にCu(銅)の埋め込み配線を電解メッキで形成する半導体ウエハー配線電解メッキ方法において、前記電解メッキの電解電流にパルス電流を用い、該パルス電流はそのピーク電流密度が0.01〜80.0A/dm2、パルスデューティ比が0.009〜0.999であることを特徴とする半導体ウエハー配線電解メッキ方法。

IPC (3件)：

H01L 21/288 ,  C25D 3/38 101 ,  C25D 7/12

FI (3件)：

H01L 21/288 E ,  C25D 3/38 101 ,  C25D 7/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-025023
  
• ダマスク金属化構造体を備えた半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-319463   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開平2-025023